國家發(fā)展改革委辦公廳關于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知
各省、自治區(qū)、直轄市及計劃單列市、新疆生產(chǎn)建設兵團發(fā)展改革委,有關中央管理企業(yè):
為貫徹落實“十一五”高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃,推進節(jié)能降耗,促進電力電子技術和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,2010年我委將組織實施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項。根據(jù)《中央預算內(nèi)投資補助和貼息項目管理暫行辦法》（國家發(fā)展改革委第31號令）,以及《國家高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目管理辦法》（國家發(fā)展改革委第43號令）,現(xiàn)將項目申報有關事項通知如下:
一、主要任務
大力推進新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展,努力掌握自主知識產(chǎn)權的芯片和器件的設計、制造技術,以市場帶動產(chǎn)業(yè),盡快形成芯片和器件的規(guī)�；a(chǎn)能力和產(chǎn)業(yè)配套能力,拓展電力電子技術在國民經(jīng)濟各領域的應用,為建設資源節(jié)約型和環(huán)境友好型社會奠定堅實基礎。
二、專項重點
�。ㄒ唬┬酒推骷脑O計開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
支持金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、集成門極換流晶閘管（IGCT）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）、超快恢復二極管（FRD）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化,重點解決芯片設計、制造和封裝技術,包括結(jié)構(gòu)設計、可靠性設計,以及光刻、刻蝕、表面鈍化、背面研磨、背面金屬化、測試等工藝技術,提高產(chǎn)品檔次。
（二）功率模塊產(chǎn)業(yè)化
圍繞電機節(jié)能、冶金、新能源、輸變電、汽車電子、軌道交通等領域?qū)β誓K的實際需求,支持采用自主技術芯片和器件的功率模塊產(chǎn)業(yè)化,主要包括:大功率模塊、智能功率模塊（IPM）和用戶專用功率模塊（ASPM）等,重點解決散熱關鍵技術、電磁兼容（EMC）技術和智能功率模塊的驅(qū)動及保護技術等。
�。ㄈ╇娏﹄娮討醚b置示范
支持采用自主技術芯片、器件和功率模塊的應用裝置產(chǎn)業(yè)化和示范應用,包括變頻裝置、逆變裝置、感應加熱裝置、無功補償、有源濾波、通信（網(wǎng)絡）電源等。
�。ㄋ模┡涮撞牧袭a(chǎn)業(yè)化
支持配套材料產(chǎn)業(yè)化,重點支持陶瓷覆銅板、鋁碳化硅基板等新型電力電子器件生產(chǎn)所需專用材料。
三、具體要求
（一）項目主管部門應根據(jù)投資體制改革精神和《國家高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目管理暫行辦法》的有關規(guī)定,按照專項實施重點的要求,結(jié)合本單位、本地區(qū)實際情況,認真做好項目組織和備案工作,組織編寫項目資金申請報告并協(xié)調(diào)落實項目建設資金、節(jié)能、環(huán)保、土地、規(guī)劃等相關建設條件。
�。ǘ╉椖恐鞴懿块T應對資金申請報告及相關附件（如銀行貸款承諾、自有資金證明等）進行認真核實,并負責對其真實性予以確認。
�。ㄈ╉椖拷ㄔO單位應實事求是制定建設方案,嚴格控制征地、新增建筑面積和投資規(guī)模。項目資金申請報告的具體編寫要求及所需附件內(nèi)容參見附件一。電力電子應用裝置示范項目應提供項目建設單位與相關單位的合作協(xié)議。
�。ㄋ模┍敬螌ｍ棽扇〖堎|(zhì)材料申報和網(wǎng)上申報并行的組織實施方式。請各項目主管部門于2010年5月31日前,將項目的資金申請報告和有關附件、項目簡介和基本情況表（見附件二）、項目的備案材料等一式二份（同時須附各項目簡介及所有項目匯總表的電子文本）報送我委高技術產(chǎn)業(yè)司。
請項目主管部門登陸國家發(fā)展改革委高技術產(chǎn)業(yè)發(fā)展項目管理系統(tǒng)（新興產(chǎn)業(yè)一處入口）,履行相關網(wǎng)上申報手續(xù)。紙質(zhì)材料申報和網(wǎng)上申報的截止時間相同,項目信息應完全一致,未履行網(wǎng)上申報手續(xù)的項目將不予受理。
�。ㄎ澹┰陧椖恐鞴懿块T申報的基礎上,我委將按照公正、公平的原則,組織專家評審,擇優(yōu)支持。
特此通知 |
